Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (12 007 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 169 A, 60 V, 7-tüskés, TO-263-7 NTBGS2D Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 169 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = TO-263-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő f...
onsemi
NTBGS2D5N06C
kezdő: HUF 1 031,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 169 A, 60 V, 7-tüskés, TO-263-7 NTBGS2D Si (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor 60V teljesítmény MOSFET használt 169 A leeresztő áram egyetlen N−csatorna. Alacsonyabb kapcsolási zajjal/EMI-vel rendelkezik, és minimálisra csökkenti a vezetési veszteségeket.Al...
onsemi
NTBGS2D5N06C
kezdő: HUF 1 635,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 169 A, 80 V, 8-tüskés, HSOF (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 169 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = HSOF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növekm...
Infineon
IPT029N08N5ATMA1
kezdő: HUF 613,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRF530NSTRLPBF
kezdő: HUF 152,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRF530NSTRLPBF
kezdő: HUF 4 054,40*
20 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMN10H099SK3-13
kezdő: HUF 91,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMN10H099SK3-13
kezdő: HUF 2 719,20*
20 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRLR3410TRLPBF
kezdő: HUF 230,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRLR3410TRLPBF
kezdő: HUF 432 790,02*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 17 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1
Infineon
AUIRLR3410TRL
kezdő: HUF 1 069 539,00*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 17 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1
Infineon
AUIRLR3410TRL
kezdő: HUF 549,00*
db-ként
 
 db
Infineon
IRLR3410TRPBF
kezdő: HUF 135,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRLR3410TRPBF
kezdő: HUF 3 537,60*
20 db-ként
 
 csomag
Infineon
IRF530NPBF
kezdő: HUF 150,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRF530NPBF
kezdő: HUF 7 433,30*
50 db-ként
 
 csomag
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   201   202   203   204   205   206   207   208   209   210   211   ..   801   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.