Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 991 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1
Infineon
IMW120R090M1HXKSA1
kezdő: HUF 2 042,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1
Infineon
IMW120R090M1HXKSA1
kezdő: HUF 2 353,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFK26N120P
kezdő: HUF 9 956,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFK26N120P
kezdő: HUF 341 228,40*
25 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 IMZ1 Si (2 ajánlat) 
A TO247-4 tokozású Infineon CoolSiC 90 V-os, 1200-os SIC MOSFET a csúcstechnológiás Trench Semiconductor folyamatra épül, amely a teljesítmény és a megbízhatóság ötvözésére van optimalizálva. A hag...
Infineon
IMZ120R090M1HXKSA1
kezdő: HUF 2 383,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 IMZ1 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = IMZ1 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás =...
Infineon
IMZ120R090M1HXKSA1
kezdő: HUF 2 694,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Elemek száma chipenként = 1
Microchip Technology
MSC080SMA120B4
kezdő: HUF 4 095,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Elemek száma chipenként = 1
Microchip Technology
MSC080SMA120B4
kezdő: HUF 4 454,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 7-tüskés, TO-263 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-263 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 7 Csatorna mód = Növekményes...
Infineon
IMBG120R090M1HXTMA1
kezdő: HUF 1 938,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 150 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDD390N15A
kezdő: HUF 173,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 150 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDD390N15A
kezdő: HUF 904,70*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220AB HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFP26N50P3
kezdő: HUF 1 869,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220AB HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
IXYS
IXFP26N50P3
kezdő: HUF 4 100,90*
2 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFH26N50P
kezdő: HUF 1 729,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFH26N50P
kezdő: HUF 64 298,2002*
30 db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   301   302   303   304   305   306   307   308   309   310   311   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.