MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (438/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFK26N120P

kezdő: HUF 9 901,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFK26N120P

kezdő: HUF 340 569,40*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1

Infineon

IMW120R090M1HXKSA1

kezdő: HUF 2 043,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 (1 ajánlat)

Infineon

IMW120R090M1HXKSA1

kezdő: HUF 2 362,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP24NF10

kezdő: HUF 165,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP24NF10

kezdő: HUF 1 068,00*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 259 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 NexFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

Texas Instruments

CSD19536KCS

kezdő: HUF 825,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 259 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 NexFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

Texas Instruments

CSD19536KCS

kezdő: HUF 2 385,60*
2 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 258 A., 40 V, 8-tüskés, LFPAK8 Egyszeres (1 ajánlat)

Ipari MOSFET 5 x 6 mm-es LFPAK csomagban, kompakt és hatékony kialakításhoz, nagy hőteljesítményt is nyújtó kivitelben.

onsemi

NTMYS1D2N04CLTWG

kezdő: HUF 1 312 106,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 258 A., 40 V, 8-tüskés, LFPAK8 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 258 A. Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = LFPAK8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő fo...

onsemi

NTMYS1D2N04CLTWG

kezdő: HUF 3 961,30*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 253 A, 30 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 253 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PQFN 3 x 3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma ch...

Infineon

IQE008N03LM5ATMA1

kezdő: HUF 372,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 253 A, 30 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 (1 ajánlat)

Infineon

IQE008N03LM5ATMA1

kezdő: HUF 618,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 253 A, 30 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 (1 ajánlat)

Infineon

IQE008N03LM5CGATMA1

kezdő: HUF 1 727 608,00*
5 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 253 A, 30 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 (1 ajánlat)

Infineon

IQE008N03LM5CGATMA1

kezdő: HUF 617,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 250 mA, 90 V, 3-tüskés, TO-92 VP0109 (2 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 250 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 90 V Sorozat = VP0109 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...

Microchip Technology

VP0109N3-G

kezdő: HUF 328,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 431 432 433 434 435 436 437 438 439 440 441 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 920 cikk)