Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 991 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 61 A, 250 V, 3-tüskés, TO-220 OptiMOS FD Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Infineon OptiMOS™ FD Power MOSFET
Infineon
IPP220N25NFDAKSA1
kezdő: HUF 3 187,30*
2 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 61 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN64N50P
kezdő: HUF 7 899,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 61 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN64N50P
kezdő: HUF 69 166,70*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 61 A, 60 V, 4-tüskés, LFPAK33 Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 61 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = LFPAK33 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő for...
Nexperia
PSMN011-60MSX
kezdő: HUF 144,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 61 A, 60 V, 4-tüskés, LFPAK33 Egyszeres (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET-ek, 40–60 V – Logikai és szabványos szintű MOSFET-ek különféle csomagolásban. Próbálja ki a robusztus és egyszerűen használható, 40 V-os és 60 V-os tartományban működő, a masszív...
Nexperia
PSMN011-60MSX
kezdő: HUF 4 595,50*
25 db-ként
 
 csomag
Infineon
IPB60R045P7ATMA1
kezdő: HUF 1 384,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 61 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 61 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek szám...
Infineon
IPB60R045P7ATMA1
kezdő: HUF 1 423,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 61 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 61 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-247AC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...
Vishay
SIHG039N60EF-GE3
kezdő: HUF 70 779,50*
25 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 61 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres (1 ajánlat) 
EF sorozatú MOSFET gyors testdiódával.4. Generációs E sorozatú technológia Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (Co) ALKALMAZÁSOK Kiszolgálók és telekommunikációs eszközök...
Vishay
SIHG039N60EF-GE3
kezdő: HUF 2 974,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 61 A, 80 V, 8-tüskés, DFN (1 ajánlat) 
The ON Semiconductor N-Channel MOSFET is produced using an advanced power trench process. advancements in both silicon and dual cool package technologies have been combined to offer the lowest on s...
onsemi
NTMFSC010N08M7
kezdő: HUF 215,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 61 A, 80 V, 8-tüskés, DFN (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 61 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = DFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...
onsemi
NTMFSC010N08M7
kezdő: HUF 267,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 61,8 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 DTMOSIV-H Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 61,8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-247 Sorozat = DTMOSIV-H Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maxim...
Toshiba
TK62N60X,S1F(S
kezdő: HUF 2 511,00*
db-ként
 
 db
Infineon
BSZ096N10LS5ATMA1
kezdő: HUF 260,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 62 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 OptiMOS™ 5 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 62 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = OptiMOS™ 5 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...
Infineon
BSZ096N10LS5ATMA1
kezdő: HUF 381,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 62 A, 150 V, 3-tüskés, TO-220 HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXTP62N15P
kezdő: HUF 930,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   511   512   513   514   515   516   517   518   519   520   521   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.