MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (519/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 63 A, 650 V, 7-tüskés, TO-263-7 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 63 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-263-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Elemek száma chip...

Infineon

IMBG65R030M1HXTMA1

kezdő: HUF 3 625,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 63 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S (2 ajánlat)

A Vishay N-csatornás 80 V-os (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S tokozású, 63 A-es leeresztődési árammal rendelkezik.TrenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET Nagyon kis RDS-Qg jósági tényező (FOM) A legkiseb...

Vishay

SiSS32ADN-T1-GE3

kezdő: HUF 225,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 63 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 63 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ...

Vishay

SiSS32ADN-T1-GE3

kezdő: HUF 209,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 63 A, 900 V, 4-tüskés, TO-247-4 Egyszeres SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 63 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...

Wolfspeed

C3M0030090K

kezdő: HUF 12 192,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 63 A, 900 V, 4-tüskés, TO-247-4 Egyszeres SiC (1 ajánlat)

Minimális 900V Vbr a teljes működési hőmérsékleti tartományban Új alacsony impedanciájú csomag meghajtóforrással >8 mm átfolyás/rés a leeresztő és a forrás között Nagy sebességű kapcsolás alacsony ...

Wolfspeed

C3M0030090K

kezdő: HUF 12 871,00*
db-ként

Infineon IPW65R048CFDA tranzisztor 120 V (1 ajánlat)

Infineon

IPW65R048CFDAFKSA1

kezdő: HUF 2 975,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 63.3 A, 700 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ Szilikon (1 ajánlat)

A COOL MOS Infineon-kialakítása egy forradalmian új technológia a nagyfeszültségű MOSFET-ekhez, amelyet a Super junction (SJ) elv alapján terveztek, és amelyet a Infineon Technologies úttörő. A 600...

Infineon

IPW65R048CFDAFKSA1

kezdő: HUF 3 447,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 630 mA, 20 V, 3-tüskés, SC-75 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 8 V - 25 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI1012CR-T1-GE3

kezdő: HUF 29,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 630 mA, 20 V, 3-tüskés, SC-75 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 8 V - 25 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI1012CR-T1-GE3

kezdő: HUF 672,40*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 630 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMN2004K-7

kezdő: HUF 35,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 630 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMN2004K-7

kezdő: HUF 99 177,00*
3 000 db-ként

Infineon BSS209PW tranzisztor 20 V (2 ajánlat)

Infineon

BSS209PWH6327XTSA1

kezdő: HUF 19,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 630 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-323 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 630 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-323 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chip...

Infineon

BSS209PWH6327XTSA1

kezdő: HUF 33,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 630 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-523 (SC-89) Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMG1012T-7

kezdő: HUF 11,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 630 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-523 (SC-89) Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMG1012T-7

kezdő: HUF 75 872,01*
3 000 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 511 512 513 514 515 516 517 518 519 520 521 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 991 cikk)