MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (55/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFK26N120P

kezdő: HUF 339 223,40*
25 db-ként

MOSFET, 21 A, 150 V, TO-252 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 21 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = TO-252

Diodes

DMT15H053SK3-13

kezdő: HUF 338 885,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 128 A, 75 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 128 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 75 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...

Infineon

IRFS3307ZTRRPBF

kezdő: HUF 338 401,60*
800 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 45 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) RD3H080SP Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 45 V Sorozat = RD3H080SP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásel...

ROHM Semiconductor

RD3H080SPTL1

kezdő: HUF 338 329,00*
2 500 db-ként

MOSFET tranzisztor, 126 A, 80 V, PG-TO263-7 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 126 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = PG-TO263-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Infineon

SP005578898

kezdő: HUF 337 762,60*
800 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 16,1 A, 60 V, 8-tüskés, V-DFN3333 DMT Műanyag (1 ajánlat)

A DiodesZetex N-csatornás javítási mód MOSFET-et úgy tervezték, hogy minimalizálja az RDS(ON) funkciót, ugyanakkor kiváló kapcsolási teljesítményt tartson fenn. Ez az eszköz ideális notebook akkumu...

Diodes

DMT64M8LCG-7

kezdő: HUF 337 708,00*
2 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7,7 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SIHLR120TR-GE3

kezdő: HUF 337 577,00*
2 000 db-ként

MOSFET, 576 A, 1200 V, Tálca (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 576 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = Tálca Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés

ROHM Semiconductor

BSM600C12P3G201

kezdő: HUF 337 466,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 200 A, 40 V, 5-tüskés, DFN Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V on Semiconductor

onsemi

NTMFS5C430NLT1G

kezdő: HUF 336 992,01*
1 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 31 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET 40 V - 55 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumoka...

Infineon

IRFR5305TRPBF

kezdő: HUF 336 931,00*
2 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 5 A, 150 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növekmé...

Vishay

SI4848BDY-T1-GE3

kezdő: HUF 336 895,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 115 A, 20 V, PowerDI3333-8 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 115 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = PowerDI3333-8

Diodes

DMP2004UFG-13

kezdő: HUF 336 263,01*
3 000 db-ként

SiC teljesítménymodul, 2 elem/chip, 300 A, 1200 V, 4-tüskés, C BSM SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 300 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = BSM Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekményes...

ROHM Semiconductor

BSM300D12P2E001

kezdő: HUF 336 033,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,3 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZXMN2B14FHTA

kezdő: HUF 335 939,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 4 elem/chip, 1,8 A, 1,5 A, 60 V, 8-tüskés, SM Teljes híd Si (1 ajánlat)

Kiegészítő Javítási Mód Mosfet H-Híd, Diódák Inc.

Diodes

ZXMHC6A07T8TA

kezdő: HUF 335 421,00*
1 000 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 920 cikk)