MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (608/801 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 95 A, 80 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 OptiMOS™ Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 95 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = OptiMOS™ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrásel...

Infineon

BSC052N08NS5ATMA1

kezdő: HUF 452,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 950 mA, 20 V, 6-tüskés, SOT-563 Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 20 V on Semiconductor

onsemi

NTZS3151PT1G

kezdő: HUF 32,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 950 mA, 20 V, 6-tüskés, SOT-563 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 20 V on Semiconductor

onsemi

NTZS3151PT1G

kezdő: HUF 2 054,10*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 96 A, 150 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFH96N15P

kezdő: HUF 1 593,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 96 A, 150 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFH96N15P

kezdő: HUF 1 599,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 96 A, 200 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFH96N20P

kezdő: HUF 2 021,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 96 A, 200 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFH96N20P

kezdő: HUF 2 315,00*
db-ként

Infineon IPT111N20NFD tranzisztor 200 V (1 ajánlat)

Infineon

IPT111N20NFDATMA1

kezdő: HUF 7 868,47*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 96 A, 200 V, 8-tüskés, HSOF-8 OptiMOS™ 3 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 96 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 200 V Sorozat = OptiMOS™ 3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...

Infineon

IPT111N20NFDATMA1

kezdő: HUF 2 022,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 960 mA, 200 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFL210TRPBF

kezdő: HUF 502 395,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 960 mA, 200 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFL210TRPBF

kezdő: HUF 124,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 97 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...

Infineon

IRFS4410ZTRLPBF

kezdő: HUF 431,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 97 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRFS4410ZTRLPBF

kezdő: HUF 5 740,80*
8 db-ként

Infineon IRFSL4410Z tranzisztor 150 V (2 ajánlat)

Infineon

IRFSL4410ZPBF

kezdő: HUF 424,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 97 A, 100 V, 3-tüskés, I2PAK (TO-262) StrongIRFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 97 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = StrongIRFET Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellená...

Infineon

IRFSL4410ZPBF

kezdő: HUF 669,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 601 602 603 604 605 606 607 608 609 610 611 .. 801 előre

MOSFET-ek (12 007 cikk)