Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  > IGBT modul

  IGBT modul  (1 674 ajánlat 4 472 177 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „IGBT modul“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"IGBT modul"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
IGBT meghajtó modul 1EDI10I12MFXUMA1 CMOS, 6 A, 15V, 8-tüskés, DSO-8 (2 ajánlat) 
Logikai típus = CMOS Kimeneti áramerősség = 6 A Tápfeszültség = 15V Tüskék száma = 8 Csomag típusa = DSO-8ns
Infineon
1EDI10I12MFXUMA1
kezdő: HUF 254,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; IGBT 3-fázisú híd; Urmax: 1,2kV (1 ajánlat) 
Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: MiniSKiiP® 3 Teljesítmény: 30kW Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 118A Kollektoráram...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 39AC126V20 25230940
kezdő: HUF 161 488,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul 2ED020I12FAXUMA2 CMOS, 2 A, 20V, 36-tüskés, SOIC-36 (1 ajánlat) 
Logikai típus = CMOS Kimeneti áramerősség = 2 A Tápfeszültség = 20V Tüskék száma = 36 Csomag típusa = SOIC-36ns
Infineon
2ED020I12FAXUMA2
kezdő: HUF 1 921,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,2kV; Ic: 185A; SOT227B (2 ajánlat) 
Gyártó: VISHAY Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 185A Kollektoráram az impulzusban: 390A egységár: ...
Vishay
VS-GT180DA120U
kezdő: HUF 12 806,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCD57090BDWR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 22V Tüskék száma = 8 Csomag típusa = SOICns
onsemi
NCD57090BDWR2G
kezdő: HUF 741,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 1,7kV (1 ajánlat) 
Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: SEMITRANS3 Max ellenfeszültség: 1,7kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 248A Kollektoráram az impulzusban: 1170...
SEMIKRON DANFOSS
SKM200GAL17E4 22895110
kezdő: HUF 50 238,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCD57090DDWR2G, 6,5 A, 20V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 20V Tüskék száma = 8 Csomag típusa = SOICns
onsemi
NCD57090DDWR2G
kezdő: HUF 421,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; buck chopper,3 fázisú dióda hid (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: E2-Pack Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 25A Kollektoráram az impulzusban: 35A Alkalmazás: moto...
IXYS
MUBW15-12A7
kezdő: HUF 28 106,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul 1EDI20I12MFXUMA1 CMOS, 6 A, 18V, 8-tüskés, PG-DSO-8-51 (2 ajánlat) 
Logikai típus = CMOS Kimeneti áramerősség = 6 A Tápfeszültség = 18V Tüskék száma = 8 Csomag típusa = PG-DSO-8-51ns
Infineon
1EDI20I12MFXUMA1
kezdő: HUF 253,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,2kV; Ic: 120A; SOT227B (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 120A Kollektoráram az impulzusban: 700A Teljesítmény...
IXYS
IXYN120N120C3
kezdő: HUF 12 894,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul IR2214SSPBF CMOS, 3 A, 20V, 24-tüskés, 24 vezetékes SSOP (2 ajánlat) 
Logikai típus = CMOS Kimeneti áramerősség = 3 A Tápfeszültség = 20V Tüskék száma = 24 Leesési idő = 7ns Meghajtók száma = 2
Infineon
IR2214SSPBF
kezdő: HUF 1 623,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,2kV; Ic: 300A; D59 (1 ajánlat) 
Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: SEMITRANS4 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 300A Kollektoráram az impulzusban: 90...
SEMIKRON DANFOSS
SKM300GA12T4 22892120
kezdő: HUF 39 936,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCD57090DDWR2G, 6,5 A, 20V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 20V Tüskék száma = 8 Csomag típusa = SOICns
onsemi
NCD57090DDWR2G
kezdő: HUF 612,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 75A (1 ajánlat) 
Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: SEMITRANS2 Max ellenfeszültség: 0,6kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 75A Kollektoráram az impulzusban: 150A ...
SEMIKRON DANFOSS
SKM75GAL063D
kezdő: HUF 12 418,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCD57201DR2G, 1,9 A, 20V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor NCPx57201 egy nagyfeszültségű kapu meghajtó, egy nem−-ban szigetelt alacsony oldali kapu meghajtó és egy galvanikusan leválasztott magas vagy alacsony oldali kapu meghajtó. Két I...
onsemi
NCD57201DR2G
kezdő: HUF 243,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   112   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.