Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  > IGBT modul

  IGBT modul  (1 674 ajánlat 4 472 177 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „IGBT modul“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"IGBT modul"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; buck chopper; Urmax: 1,7kV (1 ajánlat) 
Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: SEMITRANS3 Max ellenfeszültség: 1,7kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 248A Kollektoráram az impulzusban: 1170...
SEMIKRON DANFOSS
SKM200GAR17E4 22895140
kezdő: HUF 49 427,00*
db-ként
 
 db
Infineon AIKQ120N60CTXKSA1 IGBT-modul N-csatornás, 2 V, 3-tüskés, PG-TO247-3 Egyszeres (1 ajánlat) 
A Infineon IGBT TRENCHSTOP és Field stop technológiával rendelkezik a 600 V-os autóipari alkalmazásokhoz, nagyon szűk paraméter-eloszlást, nagyfokú robusztusságot, stabil hőmérsékletet és nagyon ma...
Infineon
AIKQ120N60CTXKSA1
kezdő: HUF 3 784,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 650V Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 110A Kollektoráram az impulzusban: 650A Teljesítmény ...
IXYS
IXXN110N65B4H1
kezdő: HUF 9 578,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCD57090EDWR2G, 6,5 A, 20V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 20V Tüskék száma = 8 Csomag típusa = SOICns
onsemi
NCD57090EDWR2G
kezdő: HUF 599,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 0,6kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 98A Kollektoráram az impulzusban: 1kA Teljesítmény e...
IXYS
IXXN200N60B3H1
kezdő: HUF 12 730,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCV57090BDWR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor NCD57090 egy−nagy áramerősségű egycsatornás IGBT/MOSFET kapu meghajtó 5 kVrms belső galvanikus leválasztással, amelyet nagy teljesítményű alkalmazások nagy rendszerhatékonyságára...
onsemi
NCV57090BDWR2G
kezdő: HUF 493,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,7kV; Ic: 775A (1 ajánlat) 
Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: SEMITRANS4 Max ellenfeszültség: 1,7kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 775A Kollektoráram az impulzusban: 34...
SEMIKRON DANFOSS
SKM600GA17E4 22895080
kezdő: HUF 82 979,00*
db-ként
 
 db
Infineon DDB6U75N16W1RBOMA1 IGBT-modul, 69 A, 1200 V, Modul (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 69 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = +/-20V Maximális teljesítménydisszipáció = 335 W Csomag típusa = Mo...
Infineon
DDB6U75N16W1RBOMA1
kezdő: HUF 11 237,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; buck chopper; Urmax: 650V; Ic: 100A (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP TECHNOLOGY Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 650V Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 100A Kollektoráram az impulzusban: 270A...
Microchip Technology
APT100GLQ65JU3
kezdő: HUF 9 828,00*
db-ként
 
 db
Infineon DDB6U75N16W1R (2 ajánlat) 
Infineon DDB6U75N16W1R
Infineon
DDB6U75N16W1RBOMA1
kezdő: HUF 10 939,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 900V; Ic: 27A; SOT227B (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP TECHNOLOGY Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 900V Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 27A Kollektoráram az impulzusban: 160...
Microchip Technology
APT40GP90JDQ2
kezdő: HUF 17 791,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCD57530DWKR2G PWM, 6,5 A, 20V, 14-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Logikai típus = PWM Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 20V Tüskék száma = 14 Csomag típusa = SOIC
onsemi
NCD57530DWKR2G
kezdő: HUF 1 050,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 650V; Ic: 200A; SOT227B (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 650V Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 200A Kollektoráram az impulzusban: 1,2kA Teljesítmény...
IXYS
IXXN200N65A4
kezdő: HUF 7 671,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCV57201DR2G, 1,9 A, 20V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor NCPx57201 egy nagyfeszültségű kapu meghajtó, egy nem−szigetelésű alacsony oldali kapu meghajtó és egy galvanikusan leválasztott magas vagy alacsony oldali kapu meghajtó. Két IGBT...
onsemi
NCV57201DR2G
kezdő: HUF 210,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 0,6kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 200A Kollektoráram az impulzusban: 1,2kA Teljesítmén...
IXYS
IXGN200N60B3
kezdő: HUF 18 119,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   112   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.