Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  > IGBT modul

  IGBT modul  (1 674 ajánlat 4 472 177 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „IGBT modul“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"IGBT modul"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
Infineon DF300R07W2H3B77BPSA1 IGBT-modul, 40 A, 90 A, 650 V 4 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 40 A, 90 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Tranzisztorok száma = 4
Infineon
DF300R07W2H3B77BPSA1
kezdő: HUF 25 105,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; IGBT félhíd; Urmax: 1,2kV; Ic: 23A (1 ajánlat) 
Figyelem! A termék csak a raktárkészleten lévő mennyiségben vásárolható. Ettől nagyobb megrendelés esetén, a mennyiséget a rendelkezésre álló mennyiségre módosítjuk. Gyártó: IXYS Tokozás: SMPD-B Ma...
IXYS
IXA20PG1200DHGLB
kezdő: HUF 3 164,00*
db-ként
 
 db
Infineon DF300R07W2H3B77BPSA1 IGBT-modul, 40 A, 90 A, 650 V 4 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 40 A, 90 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Maximális teljesítménydisszipáció = 20 mW
Infineon
DF300R07W2H3B77BPSA1
kezdő: HUF 26 182,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; tranzisztor/tranzisztor,közös emitter; IGBT x2 (1 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Tokozás: AG-62MM-1 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor;közös emitter Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 300A Kollektorá...
Infineon
FF300R12KT3EHOSA1
kezdő: HUF 61 621,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCV57080BDR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 22V Tüskék száma = 8 Csomag típusa = SOICns
onsemi
NCV57080BDR2G
kezdő: HUF 597,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; tranzisztor/tranzisztor,közös emitter; IGBT x2 (1 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Tokozás: AG-62MM-1 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor;közös emitter Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 200A Kollektorá...
Infineon
FF200R12KT3EHOSA1
kezdő: HUF 38 248,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCV57540DWKR2G PWM, 6,5 A, 20V, 14-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Logikai típus = PWM Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 20V Tüskék száma = 14 Csomag típusa = SOIC
onsemi
NCV57540DWKR2G
kezdő: HUF 775,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 650V; Ic: 100A; SOT227B (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 650V Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 100A Kollektoráram az impulzusban: 490A Teljesítmény ...
IXYS
IXYN100N65B3D1
kezdő: HUF 9 437,00*
db-ként
 
 db
Infineon F3L100R07W2H3B11BPSA1 IGBT-modul, 70 A, 650 V 4 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 70 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Maximális teljesítménydisszipáció = 20 mW
Infineon
F3L100R07W2H3B11BPSA1
kezdő: HUF 20 288,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,2kV; Ic: 300A; D59 (1 ajánlat) 
Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: SEMITRANS4 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 300A Kollektoráram az impulzusban: 30...
SEMIKRON DANFOSS
SKM300GA12V 22892123
kezdő: HUF 57 805,00*
db-ként
 
 db
Infineon F3L100R07W2H3B11BPSA1 IGBT-modul, 70 A, 650 V 4 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 70 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Maximális teljesítménydisszipáció = 20 mW
Infineon
F3L100R07W2H3B11BPSA1
kezdő: HUF 21 001,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; tranzisztor/tranzisztor; IGBT 3-fázisú híd; Ic: 35A (1 ajánlat) 
Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: MiniSKiiP® 2 Teljesítmény: 11kW Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 35A Kollekto...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 24AC12T4V1 25231460
kezdő: HUF 52 463,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCV57090BDWR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 22V Tüskék száma = 8 Csomag típusa = SOICns
onsemi
NCV57090BDWR2G
kezdő: HUF 701,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; tranzisztor/tranzisztor; IGBT 3-fázisú híd; Ic: 14A (1 ajánlat) 
Gyártó: POWERSEM Tokozás: ECO-PAC 2 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 14A Kollektoráram az impulzusban: 20A Alka...
Powersem
PSII 15/12
kezdő: HUF 9 513,00*
db-ként
 
 db
Infineon DDB6U104N16RRBPSA1 IGBT-modul, AG-ECONO2B-211 (2 ajánlat) 
Csomag típusa = AG-ECONO2B-211
Infineon
DDB6U104N16RRBPSA1
kezdő: HUF 33 315,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   21   22   23   24   25   26   27   28   29   30   31   ..   112   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.