Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (2 094 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E (2 ajánlat) 
A Vishay e sorozatú teljesítmény MOSFET D2PAK (TO-263) tokozású, egyszeres konfigurációjú.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (CISS) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszt...
Vishay
SIHB11N80AE-GE3
kezdő: HUF 475,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Sorozat = E Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...
Vishay
SIHB11N80AE-GE3
kezdő: HUF 508,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 800 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Sorozat = E Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...
Vishay
SIHD11N80AE-GE3
kezdő: HUF 308,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 800 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E (1 ajánlat) 
A Vishay e sorozatú teljesítmény MOSFET DPAK (TO-252) tokozású, egyszeres konfigurációjú.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (CISS) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszte...
Vishay
SIHD11N80AE-GE3
kezdő: HUF 344,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 800 V, 3-tüskés, TO-247AC E (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Sorozat = E Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0.391 Ω Maximális kapu küszöbfeszül...
Vishay
SIHG11N80AE-GE3
kezdő: HUF 530,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 800 V, 3-tüskés, TO-247AC E (1 ajánlat) 
A Vishay e sorozatú teljesítmény MOSFET TO-247AC tokozású, egyetlen konfigurációval.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (CISS) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség R...
Vishay
SIHG11N80AE-GE3
kezdő: HUF 421,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 850 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E Series Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...
Vishay
SIHD11N80AE-T1-GE3
kezdő: HUF 953 782,00*
2 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 850 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E Series Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...
Vishay
SIHD11N80AE-T1-GE3
kezdő: HUF 569,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 8,1 A, 250 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor
Vishay
SIHF634S-GE3
kezdő: HUF 12 282,30*
50 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 8,1 A, 250 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor
Vishay
SIHF634S-GE3
kezdő: HUF 3 897,00*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 8,1 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor
Vishay
SI4435DDY-T1-GE3
kezdő: HUF 224 002,50*
2 500 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 8,1 A, 500 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor
Vishay
SIHF840STRL-GE3
kezdő: HUF 437 359,60*
800 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 8,1 A, 500 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor
Vishay
SIHF840STRL-GE3
kezdő: HUF 6 442,70*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 8,4 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) EF (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = EF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellená...
Vishay
SiHB186N60EF-GE3
kezdő: HUF 595,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 8,4 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) EF (1 ajánlat) 
A Fast Body diódával ellátott Vishay EF sorozatú teljesítmény MOSFET D2PAK (TO-263) tokozással rendelkezik.Negyedik generációs e sorozatú technológia Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony eff...
Vishay
SiHB186N60EF-GE3
kezdő: HUF 596,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   81   82   83   84   85   86   87   88   89   90   91   ..   140   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.