MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (516/801 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 61 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 61 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-247AC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...

Vishay

SIHG039N60EF-GE3

kezdő: HUF 70 568,50*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 61 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres (1 ajánlat)

EF sorozatú MOSFET gyors testdiódával.4. Generációs E sorozatú technológia Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (Co) ALKALMAZÁSOK Kiszolgálók és telekommunikációs eszközök...

Vishay

SIHG039N60EF-GE3

kezdő: HUF 2 967,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 61 A, 80 V, 8-tüskés, DFN (1 ajánlat)

The ON Semiconductor N-Channel MOSFET is produced using an advanced power trench process. advancements in both silicon and dual cool package technologies have been combined to offer the lowest on s...

onsemi

NTMFSC010N08M7

kezdő: HUF 215,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 61 A, 80 V, 8-tüskés, DFN (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 61 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = DFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...

onsemi

NTMFSC010N08M7

kezdő: HUF 267,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 61,8 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 DTMOSIV-H Si (2 ajánlat)

MOSFET N-Channel, TK6 és TK7 sorozat Toshiba

Toshiba

TK62N60X,S1F(S

kezdő: HUF 2 518,00*
db-ként

Infineon BSZ096N10LS5 tranzisztor 100 V (1 ajánlat)

Infineon

BSZ096N10LS5ATMA1

kezdő: HUF 260,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 62 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 OptiMOS™ 5 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 62 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = OptiMOS™ 5 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...

Infineon

BSZ096N10LS5ATMA1

kezdő: HUF 380,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 62 A, 150 V, 3-tüskés, TO-220 HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXTP62N15P

kezdő: HUF 919,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 62 A, 150 V, 3-tüskés, TO-220 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXTP62N15P

kezdő: HUF 1 264,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 62 A, 200 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, több mint 60 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDB2614

kezdő: HUF 725,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 62 A, 200 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, több mint 60 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDB2614

kezdő: HUF 904,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 62 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220 PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, több mint 60 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDP2614

kezdő: HUF 904,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 62 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, több mint 60 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDP2614

kezdő: HUF 1 158,00*
db-ként

Infineon IRLB8721 tranzisztor 40 V (3 ajánlat)

Infineon

IRLB8721PBF

kezdő: HUF 184,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 62 A, 30 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 30V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési ...

Infineon

IRLB8721PBF

kezdő: HUF 7 585,50*
50 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 511 512 513 514 515 516 517 518 519 520 521 .. 801 előre

MOSFET-ek (12 007 cikk)