diszkrét félvezetők a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (1 851/2 548 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Ez a nagyfeszültségű N-csatornás MOSFET az MDmesh™ DM2 gyors helyreállító diódasorozat része. Alacsony visszaállítási töltést (Qrr) és időt (trr) biztosít alacsony RDS(on) funkcióval, amely alkalma...

ST Microelectronics

STD11N60DM2

kezdő: HUF 263,00*
db-ként

100%

Infineon IPZ60R017C7 tranzisztor 600 V (2 ajánlat)

Infineon

IPZ60R017C7XKSA1

kezdő: HUF 5 457,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 700 V, 3-tüskés, TO-220 FP CoolMOS™ P7 Si (1 ajánlat)

A Infineon 700V CoolMOS™ P7 sorozatú N csatornás teljesítmény MOSFET. A CoolMOS™ egy forradalmian új technológia a nagyfeszültségű MOSFET-ekhez, amelyet a szupercsomópont (SJ) elv alapján terveztek...

Infineon

IPA70R450P7SXKSA1

kezdő: HUF 144,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 105 A, 750 V, 3-tüskés, TO-247N SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 105 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 750 V Csomag típusa = TO-247N Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Nö...

ROHM Semiconductor

SCT4013DEC11

kezdő: HUF 8 434,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 400 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 300 V - 400 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRF740SPBF

kezdő: HUF 374,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (3 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRF9640PBF

kezdő: HUF 184,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 10,9 A, 250 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 OptiMOS™ 3 Si (1 ajánlat)

A Infineon 250V OptiMOS termékek a teljesítményvezető teljesítménymérő technológiák, amelyek tökéletesen alkalmasak a szinkron egyenirányítás 48 V-os rendszerekben, DC-DC átalakítók, szünetmentes t...

Infineon

BSZ16DN25NS3GATMA1

kezdő: HUF 476,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 106 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 106 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolMOS™ Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenáll...

Infineon

IPW65R018CFD7XKSA1

kezdő: HUF 5 321,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 480 V, Kiürítéses, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STD (1 ajánlat)

Az STMicroelectronics N-csatornás MDmesh M6 Power MOSFET DPAK csomagban csökkentette a kapcsolási veszteségeket. Emellett területenként alacsonyabb RDS(on)-t is tartalmaz, mint az előző generációná...

ST Microelectronics

STD13N60M6

kezdő: HUF 337,4484*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 30V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési ...

Infineon

IRF8707TRPBF

kezdő: HUF 61,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 100 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 DMTH10H4M6SPS (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = DMTH10H4M6SPS Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő f...

Diodes

DMTH10H4M6SPS-13

kezdő: HUF 367,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 107 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 107 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes...

Infineon

IPW65R099CFD7AXKSA1

kezdő: HUF 1 653,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) (2 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...

ROHM Semiconductor

RD3L01BATTL1

kezdő: HUF 165,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFB11N50APBF

kezdő: HUF 370,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 171 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 171 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek szám...

Vishay

SiRS700DP-T1-GE3

kezdő: HUF 461,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 1851 1852 1853 1854 1855 1856 1857 1858 1859 1860 1861 .. 2548 előre

diszkrét félvezetők (38 219 ajánlat 4 383 454 cikkből)