diszkrét félvezetők a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (1 852/2 543 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 106 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 106 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolMOS™ Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenáll...

Infineon

IPW65R018CFD7XKSA1

kezdő: HUF 5 476,00*
db-ként

100%

Infineon IPZ60R017C7 tranzisztor 600 V (2 ajánlat)

Infineon

IPZ60R017C7XKSA1

kezdő: HUF 5 488,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 40 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 OptiMOS™ 5 (1 ajánlat)

Az Infineon 40 V, N-cs, max. 2.8 ohm, autóipari MOSFET, SS08 (5x6), OptiMOS™-5.OptiMOS™ - teljesítmény MOSFET autóipari alkalmazásokhoz N-csatorna - halmozási mód - normál szint AEC Q101 minősítés ...

Infineon

IPC100N04S52R8ATMA1

kezdő: HUF 149,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 25 V, 4-tüskés, PQFN 5 x 6 HEXFET Szilikon (1 ajánlat)

A HEXFET® teljesítmény MOSFET-EK, más néven MOSFET tranzisztorok Infineon-je a „fém-oxid félvezető térvezérlésű tranzisztorok”;. A MOSFET-EK tranzisztoros eszközök, amelyeket kondenzátor vezérel. A...

Infineon

IRFH5250TRPBF

kezdő: HUF 218,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 107 A, 650 V, 3-tüskés, TO-263 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 107 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-263 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes...

Infineon

IPB65R099CFD7AATMA1

kezdő: HUF 940,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (3 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRF9640PBF

kezdő: HUF 216,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 40 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 OptiMOS™ 5 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = OptiMOS™ 5 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...

Infineon

IPC100N04S5L1R9ATMA1

kezdő: HUF 190,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 25 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8DC SiDR220DP (1 ajánlat)

A Vishay N-Channel 25 V (D-S) MOSFET optimális QG, Qgd és Qgd/Qgs aránnyal csökkenti a kapcsolással kapcsolatos áramveszteséget.100 % RG és UIS vizsgálat TenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET

Vishay

SIDR220DP-T1-RE3

kezdő: HUF 857,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 109 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS™ C7 Si (1 ajánlat)

Infineon 600V CoolMOS™ sorozatú N csatornás teljesítmény MOSFET. A CoolMOS™ C7 egy forradalmian új technológia a nagyfeszültségű MOSFET-ekhez, amelyet a szupercsomópont (SJ) elvének megfelelően ter...

Infineon

IPW60R017C7XKSA1

kezdő: HUF 4 776,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 30V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési ...

Infineon

IRF8707TRPBF

kezdő: HUF 61,00*
db-ként

100%

Infineon IPB110P06LM tranzisztor 60 V (1 ajánlat)

Infineon

IPB110P06LMATMA1

kezdő: HUF 686,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 25 V, 8-tüskés, VSONP NexFET Si (1 ajánlat)

Texas Instruments

CSD16403Q5A

kezdő: HUF 237,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 100 V, 8-tüskés, PowerDI3333-8 DMN10H220LFVW (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 11 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = DMN10H220LFVW Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő fo...

Diodes

DMN10H220LFVW-7

kezdő: HUF 69,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFB11N50APBF

kezdő: HUF 367,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) AEC-Q101, Automotive, TrenchFET® (1 ajánlat)

A Vishay SQD50034EL_GEO3 egy 175 °C-os autós N-csatornás 60V (D-S) MOSFET.TrenchFET® power MOSFET Kis hőellenállású tok 100 %-os Rg- és UIS-megfelelőség AEC-Q101-minősítés

Vishay

SQD50034EL_GE3

kezdő: HUF 310,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 1851 1852 1853 1854 1855 1856 1857 1858 1859 1860 1861 .. 2543 előre

diszkrét félvezetők (38 141 ajánlat 4 386 869 cikkből)