diszkrét félvezetők a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (1 858/2 548 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

100%

Infineon BSZ028N04LS tranzisztor 40 V (2 ajánlat)

Infineon

BSZ028N04LSATMA1

kezdő: HUF 128,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 101 A, 150 V, 3-tüskés, TO-220 NTP Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 101 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Sorozat = NTP Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...

onsemi

NTP7D3N15MC

kezdő: HUF 735,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 115 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 Egyszeres SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 115 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forráse...

Wolfspeed

C3M0016120K

kezdő: HUF 22 951,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8DC TrenchFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

TrenchFET® Gen IV power MOSFET A felső oldalon lévő hűtési funkció további helyet biztosít a hőátadáshoz Az optimalizált Qg, Qgd és Qgd/Qgs arány csökkenti a kapcsolások miatti teljesítményvesztesé...

Vishay

SiDR392DP-T1-GE3

kezdő: HUF 345,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 116 A, 650 V, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH90 SiC (2 ajánlat)

Az STMicroelectronics 650V szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET áramterheléses teljesítményértéke 116A, és a forrásellenállás 18 m ohm. Az egység egy részén alacsony az ellenállásuk, és nagyon jó a ...

ST Microelectronics

SCTH90N65G2V-7

kezdő: HUF 8 029,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 101 A, 80 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 101 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = PQFN 3 x 3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma ch...

Infineon

IQE050N08NM5CGATMA1

kezdő: HUF 427,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 116 A, 100 V, 8-tüskés, DFN NTMFS Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 116 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = NTMFS Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrásell...

onsemi

NTMFSC4D2N10MC

kezdő: HUF 2 531,455*
5 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 30 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 OptiMOS™ Si (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = OptiMOS™ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...

Infineon

BSC034N03LSGATMA1

kezdő: HUF 131,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 116 A, 900 V, 4-tüskés, TO-247-4L SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 116 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Csomag típusa = TO-247-4L Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekmén...

onsemi

NTH4L020N090SC1

kezdő: HUF 9 535,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 104 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8PT (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 104 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8PT Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek s...

Vishay

SISA10BDN-T1-GE3

kezdő: HUF 97,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 116 A, 80 V, 8-tüskés, PQFN8 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 116 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = PQFN8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...

onsemi

FDMS4D5N08LC

kezdő: HUF 443,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 30 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS P Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™P-csatornás teljesítmény MOSFET-ek. Az Infineon OptiMOS ™ P-Channel teljesítmény MOSFET-ek kialakítása olyan, hogy jobb szolgáltatásokat nyújtsanak, amelyek megfelelnek a megfelelő...

Infineon

BSC030P03NS3G

kezdő: HUF 1 223 455,00*
5 000 db-ként

100%

Infineon BSC026N04LS tranzisztor 30 V (1 ajánlat)

Infineon

BSC026N04LSATMA1

kezdő: HUF 643,63*
5 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 105 A, 100 V, 5-tüskés, DFN NTMFS005N Si (1 ajánlat)

A ON Semiconductor ipari teljesítményű MOSFET 5x6 mm-es lapos ólomtokozásban kompakt és hatékony kialakításokhoz és nagy hőteljesítményhez tervezték.Alacsony RDS(be) a vezetési veszteségek minimali...

onsemi

NTMFS005N10MCLT1G

kezdő: HUF 268,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 119 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET (3 ajánlat)

A Infineon HEXFET® teljesítmény MOSFET a legújabb feldolgozási technikákat használja a rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás eléréséhez szilíciumterületenként. További jellemzői ennek a...

Infineon

IRFR4104TRPBF

kezdő: HUF 159,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 1851 1852 1853 1854 1855 1856 1857 1858 1859 1860 1861 .. 2548 előre

diszkrét félvezetők (38 219 ajánlat 4 383 454 cikkből)