diszkrét félvezetők a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (1 856/2 543 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 11,5 A, 50 V, 6-tüskés, U-DFN2020 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMT5015LFDF-7

kezdő: HUF 372 248,01*
3 000 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 11.7 A, 76 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 DMP4011 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 11.7 A, 76 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = DMP4011 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő f...

Diodes

DMP4011SPS-13

kezdő: HUF 537 021,00*
2 500 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 105 A, 750 V, 3-tüskés, TO-247N SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 105 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 750 V Csomag típusa = TO-247N Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Nö...

ROHM Semiconductor

SCT4013DEC11

kezdő: HUF 7 855,00*
db-ként

100%

Infineon BSS139 tranzisztor 250 V (3 ajánlat)

Infineon

BSS139H6327XTSA1

kezdő: HUF 43,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 11,5 A, 900 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres SiC (1 ajánlat)

Wolfspeed Silicon Carbide teljesítmény MOSFET-ek. Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ és C3M™ Szilícium-Carbide teljesítmény MOSFET-ek. A második generációs SIC MOSFET-ek széles választéka a Cree teljesítményté...

Wolfspeed

C3M0280090D

kezdő: HUF 43 294,3002*
30 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 N-Channel 100 V (2 ajánlat)

A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.TrenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET Nagyon alacson...

Vishay

SIR5102DP-T1-RE3

kezdő: HUF 1 304 250,00*
3 000 db-ként

100%

Infineon BSC0902NS tranzisztor 30 V (2 ajánlat)

Infineon

BSC0902NSATMA1

kezdő: HUF 122,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 101 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 101 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-220AB Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásel...

Diodes

DMT10H9M9LCT

kezdő: HUF 339,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 11.9 A, 30.2 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI3333-8 DMT47 Si (1 ajánlat)

A DiodesZetex 40V,8 tűs kettős N-csatornás javítási mód MOSFET-et úgy tervezték, hogy minimalizálja a bekapcsolt állapotú ellenállást, ugyanakkor kiváló kapcsolási teljesítményt tartson fenn, így i...

Diodes

DMT47M2LDV-7

kezdő: HUF 218,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN 5 x 6 (1 ajánlat)

The ON Semiconductor N-channel MOSFET is produced using advanced power trench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and...

onsemi

NTMFS7D8N10GTWG

kezdő: HUF 1 648 519,02*
3 000 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 106 A, 700 V, 4-tüskés, TO-247-4 CoolMOS™ (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 106 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásel...

Infineon

IPZA65R018CFD7XKSA1

kezdő: HUF 5 870,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 101 A, 150 V, 3-tüskés, TO-220 NTP Si (1 ajánlat)

A ON Semiconductor NTP sorozat egy n-csatornás MOSFET árnyékolt kapu MOSFET technológiával, amely 150 V-os feszültségforráshoz elvezető Általában szinkron egyenirányítás és mikro-napelemes inverter...

onsemi

NTP7D3N15MC

kezdő: HUF 641,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 55 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Szilikon (1 ajánlat)

A Infineon teljesítmény MOSFET a legújabb feldolgozási technikákat használja a rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás eléréséhez szilíciumterületenként. További jellemzői ennek a design ...

Infineon

AUIRF3205ZSTRL

kezdő: HUF 492,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 45 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET® Gen IV (2 ajánlat)

A SIR150DP-T1-RE3 Vishay N-csatornás 45 V (D-S) MOSFET.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET 45 V-os leürítőcső-forrás feszültségleszakadás Alacsony QG- és Qoss-frekvenciára hangolva 100 %-...

Vishay

SIR150DP-T1-RE3

kezdő: HUF 115,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 108 A, 200 V, 8-tüskés, PG HSOG-8 (TOLG) OptiMOS™ 3 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 108 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 200 V Sorozat = OptiMOS™ 3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...

Infineon

IPTG111N20NM3FDATMA1

kezdő: HUF 1 935,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 1851 1852 1853 1854 1855 1856 1857 1858 1859 1860 1861 .. 2543 előre

diszkrét félvezetők (38 141 ajánlat 4 386 869 cikkből)